Экспериментально и теоретически исследованы эффекты управления через полуизолирующую подложку полевыми транзисторами с затвором Шоттки, изготовленными на однородно легированных эпитаксиальных слоях арсенида галлия. Установлено, что причиной паразитного управления через подложку является накопление отрицательного заряда вблизи границы канал-подложка из-за дырочной эмиссии Френкеля-Пула с глубоких акцепторных центров полуизолирующей подложки. Показано, что пороговость характера эффектов паразитного управления через подложку наблюдается при наличии в пограничной области канал-подложка глубокого донора (~0.34 эВ). Обсуждены беспороговый и пороговый характеры проявлений эффектов паразитного управления транзистором в стационарном и нестационарном режимах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.