Исследован механизм снижения плотности дислокаций при изовалентном легировании полупроводниковых соединений A^IIIB^V и показано, что в изовалентно легированных слоях дислокации могут выходить за пределы образца. Получено выражение для вероятности выхода дислокации за пределы образца и показано, что данный технологический прием эффективен при малой плотности дислокаций (N_d~10⁴ см^-2, A^IIIB^V/A^IIIB^V) и неэффективен при большой плотности дислокаций (N_d~ 10⁶-10⁸ см^-2, A^IIIB^V/Si).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.