Из анализа электрических и оптических характеристик нелегированных и легированных Tl и Na монокристаллов теллурида свинца сделано заключение о том, что на фоне разрешенного спектра энергии валентной зоны нелегированных кристаллов PbTe существует резонансный уровень шириной ~ kT с энергией активации ~45 мэВ, отсчитанной от потолка L-зоны, обусловленный наличием в матрице полупроводника собственных дефектов. Введение примесей Tl и Na, а также действие ИК лазерного облучения в области прозрачности матрицы изменяют плотность состояний на уровне и его энергетическое положение E_d по отношению к потолку валентной зоны в точке L зоны Бриллюэна. При концентрациях носителей тока, когда E_F ~ E_d (где E_F - уровень Ферми), наблюдается резонансное рассеяние дырок, сечение рассеяния которого не зависит от типа введенной примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.