Для арсенид-галлиевой тонкопленочной структуры пленка-полуизолирующая компенсированная подложка с контактом Шоттки на пленке получена в аналитическом виде зависимость низкочастотной барьерной емкости от запорного напряжения на барьере Шоттки. Показано, что особенности вольт-фарадной зависимости тонкопленочных структур n-GaAs с барьером Шоттки обусловлены процессами перезарядки глубоких центров в переходе пленка-подложка при смыкании областей обеднения барьера и перехода пленка-подложка, что, в частности, позволяет определить по измерениям низкочастотной барьерной емкости концентрацию незаполненных глубоких центров в подложке вблизи границы с пленкой.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.