Измерена электропроводность сильно легированных с помощью ионной имплантации Si<P>, Si<Sb>, Si<Sb + P> в области температур 4.2=< T=< 300 K. Результаты интерпретируются в рамках модели, учитывающей возможную энергетическую зависимость плотности делокализованных состояний в примесной зоне.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.