Сообщается о результатах исследования ВАХ структуры In₂O₃-ZnSe-In с субмикронным слоем селенида цинка. Структура выращивалась на стеклянной подложке методом термического распыления в вакууме. Ее удельное сопротивление зависело от направления тока. ВАХ измерялись в диапазоне напряжений от 50 мВ до 10 В. Показано, что: 1) внутри слоя селенида цинка существует внутреннее диффузионное поле, направленное от индиевого электрода к слою оксида индия; 2) работа выхода электрона из слоя оксида индия выше, чем из индиевого электрода; 3) проводимость структуры определяется соотношением работ выхода из оксида индия, индия и сродством к электрону селенида цинка. Рассчитан ряд электрофизических характеристик структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.