В гетероструктуре AlGaAs/GaAs с большим числом слоев сверхрешетки рассчитанные остаточные напряжения без учета дислокаций превышают предел текучести, что свидетельствует о введении дислокаций несоответствия при охлаждении совпадающих при температуре эпитаксии постоянных решетки слоев. В приближениях одиночного слоя и многих слоев исследованы критические толщины нарощенных слоев без учета взаимодействия дислокаций, с учетом взаимодействия диполей дислокации и мультипольным взаимодействием. Показано, что слои с критическими толщинами растут с учетом числа взаимодействия дислокаций. Этот результат объясняется ростом работы, затрачиваемой на взаимодействие дислокаций. Значительного различия в значениях критических толщин для случаев дипольного и мультипольного взаимодействий не обнаружено в противовес случаю отсутствия взаимодействия дислокаций. Исследованы критические толщины для мультипольного и многослойного случая без учета равновесного скольжения. В этом случае отмечено пороговое число слоев, с превышением которого вводятся дислокации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.