Предложена модель дислокационного спектра электронов, объясняющая влияние дислокаций на свойства полупроводников p-типа. Модель содержит четыре параметра: положения акцепторного E_a и донорного E_d уровней в запрещенной зоне полупроводника, а также их емкости C_a и C_d. Дано обоснование использования этих параметров и определены с помощью имеющихся экспериментов их значения для деформированного p-германия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.