С использованием метода нелокального псевдопотенциала, сохраняющего норму, проведен самосогласованный расчет из первых принципов зонной структуры слоистых орторомбических полупроводников TlI. Получена диаграмма дисперсии зон в k-пространстве. Идентифицированы оптические переходы в области фундаментального поглощения и отмечена хорошая корреляция с данными спектральных измерений. Анализируются полученные абрисы электронной плотности в различных плоскостях и связь ее распределения с анизотропией макрофизических параметров и свойств. Определено происхождение составляющих валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.