Исследовано изменение фотоэлектрических характеристик кремниевых p-n-переходов в сильном СВЧ поле. Показано, что высота барьера p-n-перехода в сильном СВЧ поле и уменьшение барьера при освещении p-n-перехода пропорциональны высоте начального барьера, если последний уменьшен прямым смещением. Вблизи нулевого смещения и при обратном смещении эта пропорциональность нарушается за счет влияния обратного тока через p-n-переход. Предложен механизм увеличения барьера p-n-перехода, основанный на учете генерационно-рекомбинационных процессов в слое объемного заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.