Рассматривается влияние накопления неосновных носителей в сильно легированном p⁺-слое p⁺-n-n⁺-диода на процесс восстановления напряжения на нем при смене направления протекающего через прибор тока. Эксперименты, проведенные для диодов с различным градиентом распределения концентрации легирующей примеси в p-n-переходе (dn/dx), показали, что накопление носителей в приборе существенно уменьшает скорость роста напряжения на нем на этапе выноса носителей из диода. Численный расчет оказался в хорошем согласии с данными эксперимента при подборе только одного параметра - коэффициента инжекции p⁺-n-перехода, значение которого может изменяться в пределах от 1 до 0.26 для диодов с различными значениями dn/dx. В частности, при уменьшении dn/dx от 8·10¹⁸ до 1.2·10¹⁸ см^-4 коэффициент инжекции изменяется от 0.5 до 0.26.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.