Исследовано влияние температуры отжига на электрофизические свойства n- и p-типа кремния, имплантированного хлором с энергией 200 кэВ и дозами 1· 10¹³ и 1· 10¹⁵ см^-2. Измерения профиля распределения носителей заряда и слоевого сопротивления структур после отжига при T=350-1000^oC показали, что хлор образует с радиационными дефектами электрически активные комплексы, которые в зависимости от температуры обработки могут быть как донорного, так и акцепторного типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.