Исследовано влияние импульсного лазерного отжига с lambda=0.69 мкм на электрические характеристики структур металл-Si₃N₄-BN-GaAs. Показано, что при энергиях отжига E=< 10 Дж/см² вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики сдвигаются в область меньших обогащающих потенциалов. При E>10 Дж/см² происходит инверсия хода вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик. Изменения электрических характеристик МДП структур после лазерного отжига связаны с превращениями, происходящими на границе раздела диэлектрик-полупроводник.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.