При температурах 2 и 77 K исследовано влияние одноосного давления в диапазоне 0-10 кбар на полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.2 эВ в GaAs : Te, связанную с комплексом V_GaTe_As. Результаты эксперимента свидетельствуют о том, что вызывающий эту ФЛ центр переориентируется при низкой температуре и способен выстраиваться в случае приложения к кристаллу одноосной деформации. Совместный анализ зависимостей поляризации ФЛ от величины и направления давления и полученных ранее поляризационных диаграмм исследуемой полосы ФЛ позволяет установить, что комплекс V_GaTe_As имеет триклинную симметрию. Внутреннее искажение T_d-симметрии кристалла в месте расположения такого центра можно представить в виде суперпозиции искажений вдоль трех направлений. Два из них лежат в плоскости типа 110 и при низкой температуре являются фиксированными для каждого отдельного центра. Третье искажение, направление которого совпадает с осью <111>, не лежащей в плоскости фиксированных искажений, переориентируется, что позволяет центру принимать одну из двух эквивалентных ориентаций. В условиях одноосного давления происходят снятие ориентационного вырождения между группами центров с различной ориентацией плоскости фиксированного искажения и выстраивание центров в отдельных группах. Предполагается, что переориентирующееся и одно из фиксированных искажений связаны с эффектом Яна-Теллера, а второе фиксированное искажение связано с исходной анизотропией пары V_GaTe_As.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.