Измерениями ВФХ, ВАХ спектров НЕСГУ на диодах Шоттки определялись профили концентраций центров с мелкими и глубокими уровнями и распределение генерационных времен после облучения быстрыми нейтронами кремния n- и p-типа, гидрогенизированного в водородной плазме ВЧ разряда и в кипящей дистиллированной воде. Установлены эффекты пассивации как одиночных радиационных дефектов, так и радиационных дефектов в РО за счет образования атомарного водорода из связанных форм под действием факторов нейтронного облучения. Обнаружено уменьшение скорости деградации генерационных времен в гидрогенизированных слоях кремния при облучении. Установлена большая эффективность пассивации радиационных дефектов в n-Si, чем в p-Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.