Исследованы электрофизические параметры слоев GaAs, имплантированных ионами Si⁺ (1.5·10¹³ см^-2, 100 кэВ) и дополнительно ионами F⁺ (0/1.5·10¹⁵ см^-2, 100 кэВ), а также, для сравнения, ионами N⁺ и Аr⁺ после отжига при 400-750^oC. Обнаружено, что в результате дополнительной имплантации ионов F⁺ происходит уменьшение эффективности электрической активации Si в GaAs. В приближении расширенного метода Хюккеля и ППДП/2 проведены кластерные расчеты электронной структуры наиболее вероятных дефектов, включающих в себя атомы F, N, Аr и Р. Показано, что электрические свойства слоев GaAs, имплантированных ионами Si⁺ и дополнительно ионами одного из элементов N, F, Аr, Р, определяются свойствами дефектов, образуемых с участием атомов имплантируемой совместно с Si примеси, а не только соотношением V_As/V_Ga в слоях. В случае имплантации F⁺ на активацию Si в GaAs может оказывать влияние также эффект пассивации мелких доноров в GaAs атомарным фтором подобно их пассивации атомарным водородом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.