Методом температурных зависимостей поверхностной фотоэдс исследованы электронные свойства системы Si-SiO₂ после воздействия излучения рубинового лазера наносекундной ддительности с энергией импульса, изменяющейся в пределах W=0-1 Дж/см². Получены немонотонные зависимости поверхностного потенциала кремния от энергии импульса W с резким изменением величины и знака потенциала при W=0.7 Дж/см² (энергия плавления кремния). Рассчитаны плотности быстрых поверхностных электронных состояний (ПЭС) на границе Si-SiO₂ после облучения системы. Показано, что плотность ПЭС и их распределение в запрещенной зоне изменяются с ростом W. При энергиях W<0.5 Дж/см² плотность ПЭС уменьшается, что связано с переходом системы Si-SiO₂ в более равновесное состояние. При W<=0.6 Дж/см² наблюдается рост плотности ПЭС в связи с преобладанием дефектообразования на границе Si-S1O₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.