В интервале температур от 77 до 300 K изучены явления долговременной релаксации и остаточной проводимости в монокристаллах n-ZnSe, легированных медью. Установлено, что с ростом температуры резко ускоряется процесс релаксации неравновесной проводимости при снятии фотовозбуждения, величина остаточной проводимости и ее кратность по отношению к темновой уменьшаются, имеет место температурное гашение. В рамках двухбарьерной модели макроскопически неоднородного полупроводника наблюдаемые явления объясняются увеличением рекомбинационных барьеров при одновременном уменьшении дрейфовых. Показано, что наблюдаемые изменения барьеров в процессе термического гашения остаточной проводимости связаны с температурным изменением концентрации неравновесных носителей тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.