Теоретически исследован стационарный фотоэффект в симметричной структуре металл-полупроводник-металл на основе высокоомного полупроводника. К структуре приложено напряжение, во много раз превышающее контактную разность потенциалов. На границах с металлом учтена эмиссия электронов и дырок. Численные расчеты проведены для случая освещения со стороны положительного контакта. Показано, что при малых интенсивностях освещения I_i<< I_* ток j в структуре растет линейно с интенсивностью, при умеренных интенсивностях зависимость j(I_i) сублинейна, а при больших интенсивностях I_i<= I_* ток слабо растет вблизи значения j_*. Здесь I_* - характерный масштаб интенсивности (пропорциональный квадрату приложенного напряжения V и обратно пропорциональный кубу ширины образца d), а j_*=(9/8)eI_* - ток, ограниченный пространственным зарядом. Нелинейность j(I_i) существует при отсутствии захвата носителей на уровни прилипания, поверхностной и объемной рекомбинации и связана исключительно с ослаблением внешнего поля полем генерированных носителей. Электрическое поле в структуре растет при удалении от освещаемой поверхности. С увеличением интенсивности поле у освещаемой поверхности E₀ уменьшается (E₀<< V/d при I_i<< I_*), а поле у темнового контакта E_d растет [E_d~=(3/2)V/d при I_i<= I_*]. В основной части образца превалирует дрейфовый перенос, дырочная концентрация намного больше электронной, и выполняется соотношение pE=const (p - концентрация дырок). Вблизи контактов имеются тонкие пограничные слои, в которых диффузия согласует значения концентраций электронов и дырок в толще с их граничными значениями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.