Рассчитан g-фактор электрона в структуре с одиночной квантовой ямой и в сверхрешетке. Расчет проводился как в однозонном приближении, так и в модели Кейна, в которой точно учитывается kp-смешивание состояний cGamma₆, nuGamma₈, nuGamma₇. Найдена зависимость g-фактора от толщины слоев гетероструктуры. Показано, что за счет эффектов размерного квантования g-фактор электрона в зоне проводимости становится анизотропным. В структуре GaAs/AlGaAs при изменении толщины слоев продольная (g_||) и поперечная (g _normal ) компоненты g-фактора проходят через нуль, так что существует диапазон толщин, в которых g_|| и g _normal имеют противоположные знаки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.