Исследовано влияние полевой и ударной ионизации глубоких энергетических уровней на форму вольт-амперных характеристик гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием. Показано, что ударная ионизация проявляется даже при относительно малой поверхностной плотности уровней и может приводить к аномальной зависимости вольт-амперной характеристики транзистора от напряжения на затворе. Ударная ионизация глубоких уровней преобладает в истоковой части канала, в то время как в области статического домена преобладает ионизация полем затвора, а ионизация продольным электрическим полем несущественна.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.