Сообщается о получении изолированных квантовых проволок и квантовых точек в системе GaAs-AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Способ основан на гетероэпитаксиальном росте на фасетированных поверхностях и включает в себя формирование двух латеральных сверхрешеток GaAs в матрице AlAs. В середине промежуточного слоя AlAs мы выращивали изолированные кластеры GaAs. Эти кластеры ответственны за сильную локальную связь между двумя латеральными сверхрешетками и приводят к появлению нового типа локализованных состояний - квантовых проволок и квантовых точек.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.