Теоретически рассмотрена возможность применения карбида кремния для создания лавиннопролетного диода коротковолновой части миллиметрового диапазона. С помощью локально-полевой модели рассчитаны динамические характеристики однопролетной структуры, сформированной на грани 0001 6H-SiC. Показано, что в режиме коротких импульсов может быть достигнута выходная удельная мощность генерации 1.5· 10⁶ Вт/см²2 при максимальном КПД, равном 7%, плотности тока 150 кА/см² и максимальном перегреве структуры в течение длительности импульса не более 500 град. Исследовано влияние температуры и удельного последовательного сопротивления потерь на работу карбид-кремниевого лавинно-пролетного диода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.