Исследованы сопротивление в интервале температур 0.5<T<300 K и магнитосопротивление при 1.3=< T=< 4.2 K, ионно-имплантированных серой с энергией 75 кэВ пленок кремния в зависимости от дозы D имплантированной серы от 10¹⁵ до 5· 10¹⁵ см^-2 и энергии W лазерного отжига от 2.0 до 2.6 Дж/см² . Обнаружена прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка с зависимостью сопротивления от температуры R=R₀exp [(T₀/T)]^1/4 и магнитосопротивлением R(H)=R₀exp (alpha H²). Получены зависимости T₀ и alpha от W и D.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.