Методом численного моделирования найдено неравновесное распределение дефектов по энергиям колебаний, устанавливающееся в стационарных условиях за счет многофононной рекомбинации электронно-дырочных пар. При этом предполагается, что концентрация неравновесных носителей контролируется внешним источником возбуждения и рекомбинационными процессами (включая в себя излучательные и оже-процессы). Показано, что в полупроводнике n-типа при увеличении концентрации неравновесных дырок экспоненциально нарастает "хвост" функции распределения, что в эксперименте может проявиться как уменьшение энергии активации при рекомбинационно-стимулированном отжиге дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.