На основании метода, разработанного в [1], проведен теоретический анализ основных тенденций изменения электронного спектра в ряду примесей, создаваемых переходными элементами группы железа, для бинарных полупроводников GaAs и GaP. Показана возможность существования трех типов энергетических уровней одновременно, инициируемых примесными атомами. Обсуждается проблема "начала отсчета" для этих уровней. Проанализированы зарядовые и спиновые характеристики основного состояния примесных центров, создаваемых 3d-элементами в соединениях A^IIIB^V.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.