Показано, что образующиеся в процессе термообработки неравновесные собственные точечные решеточные дефекты участвуют в формировании электрически активных центров, ответственных за ударную ионизацию и генерацию-рекомбинацию носителей заряда в p-n-структурах. Демонстрируются возможности метода емкостной спектроскопии для исследования влияния различных физических факторов на пересыщение Si собственными дефектами. Центры с глубокими уровнями с энергиями ионизации E_c-0.277 ( Е4), E_c-0.535 эВ ( Е1), связанные с пересыщением Si собственными межузельными атомами, и E_c-0.266 эВ ( Е5), связанный с вакансионным пересыщением, могут приводить к образованию микроплазм. Центр E1 также является эффективным генерационно-рекомбинационным центром, увеличивающим обратный ток p-n-структур. Изменение условий термообработки позволяет управлять типом и концентрацией генерируемых неравновесных собственных дефектов и концентрацией электрически активных центров, контролирующих время жизни неосновных носителей заряда. Развитые представления используются для оптимизации условий изготовления структур сильноточных высоковольтных лавинных диодов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.