Развита методика спектроскопии границы раздела полупроводник-диэлектрик промышленных МДП транзисторов с коротким каналом, основанная на комбинации методов эффекта поля и "расщепленных" вольт-фарадных характеристик. По зависимости электропроводности канала от потенциала затвора определяются низкочастотная вольт-фарадная характеристика транзистора, потенциал границы раздела и функция плотности пограничных состояний в интервале энергий, примыкающем к краю зоны неосновных носителей заряда. Дополнительные измерения вольт-фарадных характеристик позволяют оценивать паразитные емкости между затвором и областями истока и стока и устанавливать факт изменения длины канала с напряжением затвора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.