В приближении шоттки-слоев обеднения рассчитаны переходные характеристики тока, протекающего через полупроводниковую фоточувствительную структуру с блокированной проводимостью по примесной зоне (БППЗ) при произвольном законе изменения приложенного к ней напряжения V(t). Показано, что наблюдения динамических вольт-амперных характеристик (ДВАХ) БППЗ структур при треугольных сигналах напряжения V(t)=beta t (beta=const=<ssgtr0) позволяют определять основные физические параметры структуры - толщины активного и блокирующего слоев, концентрацию компенсирующей примеси в активном слое, проводимость по примесной зоне, а также идентифицировать присутствие в блокирующем слое избыточного электрического заряда. В области гелиевых температур (T =<10 K) исследованы ДВАХ (beta~=±10^-2 В/с) n-Si<As> БППЗ структур. При T>~=6 K ДВАХ квазистационарны. Они согласуются с результатами расчетов и определяются преимущественно процессом перестройки области пространственного заряда (ОПЗ), обедненной положительно заряженными донорами. При T=<sssim6 K формирование ОПЗ протекает в существенно нестационарных условиях. В этой ситуации значительную роль играют полевые эффекты, вызывающие разрушение корреляций в пространственном расположении ионизованных доноров и акцепторов и увеличение sigma. Учет полевой зависимости sigma позволяет удовлетворительно описать экспериментальные ДВАХ и при T>~=6 K.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.