Рассчитаны временные и температурные зависимости высокочастотной емкости и тока разряда МДП структуры, связанные с термической генерацией неосновных носителей заряда через глубокий объемный уровень в процессе релаксации образца от состояния неравновесного обеднения к состоянию глубокой инверсии. Приняты во внимание набег потенциала на слое инверсии, пиннинг (закрепление) квазиуровня Ферми неосновных носителей заряда у поверхности полупроводника, определяющий ближайший к границе раздела край зоны генерации, а также вклад опустошения объемного уровня в изменение изгиба зон и ток разряда МДП структуры. Развиты методика экспериментов и алгоритмы обработки опытных данных, позволяющие идентифицировать эффекты генерации неосновных носителей заряда в релаксационных сигналах и определять характеристики центров генерации. В термоактивационном режиме экспериментально исследована термическая генерация дырок в структурах металл-окисел-полупроводник на n-Si. На основании хорошего согласия между теорией и экспериментом сделан вывод, что центрами генерации являются глубокие доноры с энергией активации 0.79 ±0.01 эВ, концентрация которых резко спадает в глубь полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.