Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2014, выпуск 1 » Статья стр. 61
<<<>>>
Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
Смирнова И.П.1,2, Марков Л.К.1,2, Павлюченко А.С.1,2, Кукушкин М.В.2,3, Павлов С.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИС", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
PDF версия
Исследованы структурные, оптические и электрические свойства пленок оксида индия и олова (ITO), полученных электронно-лучевым испарением, магнетронным напылением и комбинированным способом. Показано, что, несмотря на высокую прозрачность электронно-лучевых пленок ITO в видимом диапазоне, их проводимость и показатель преломления заметно ниже аналогичных параметров для пленок ITO, полученных методом магнетронного напыления. Разработана технология создания двухслойных систем способом, комбинирующим эти два метода нанесения. В результате получены пленки, которые обладают преимуществами магнетронных слоев и могут быть применены в качестве контактных слоев к области p-GaN в светодиодах синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов.
  1. T. Margalith, O. Buchinsky, D.A. Cohen, A.C. Abare, M. Hansen, S.P. DenBaars, L.A. Coldren. Appl. Phys. Lett., 74, 3930 (1999)
  2. C.S. Chang, S.J. Chang, Y.K. Su, Y.C. Lin, Y.P. Hsu, S.C. Shei, S.C. Chen, C.H. Liu, U.H. Liaw. Semicond. Sci. Technol., 18, L21 (2003)
  3. Y.C. Lin, S.J. Chang, Y.K. Su, T.Y. Tsai, C.S. Chang, S.C. Shei, C.W. Kuo, S.C. Chen, Sol. St. Electron., 47, 849 (2003)
  4. Y.C. Lin, S.J. Chang, Y.K. Su, C.S. Chang, S.C. Shei, J.C. Ke, H.M. Lo, S.C. Chen, C.W. Kuo. Sol. St. Electron., 47, 1565 (2003)
  5. C.H. Kuo, S.J. Chang, Y.K. Su, R.W. Chuang, C.S. Chang, L.W. Wu, W.C. Lai, J.F. Chen, J.K. Sheu, H.M. Lo, J.M. Tsai. Mater. Sci. Engin. B, 106, 69 (2004)
  6. F.-A. Shu. US Patent No 2006/0046460 A1 (Mar. 2, 2006)
  7. P. Chan, R. Wang, L. Lei. US Patent No 2009/0065795 A1 (Mar. 12, 2009)
  8. S. Hiraoka, H. Okagawa, T. Joichi. US Patent No 2010/0012971 A1 (Jan. 21, 2010)
  9. D.W. Kim, Y.J. Yoon, D.H. Oh, J.H. Kim. US Patent No 7.998.761 B2 (Aug. 16, 2011)
  10. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина. ФТП, 43, 1564 (2009)
  11. И.П. Смирнова, Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин. ФТП, 46, 384 (2012)
  12. S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
  13. S.A. Smith, C.A. Wolden, M.D. Bremser, A.D. Hanser, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett., 71, 3631 (1997)
  14. R.J. Shul. In: GaN and Related Materials II, ed. by S.J. Pearton Gordon and Breach (N.Y., 1998)
  15. X.A. Cao, S.J. Pearton, A.P. Zhang, G.T. Dang, F. Ren, R.J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, J.M. Van Hove. Appl. Phys. Lett., 75, 2569 (1999)
  16. M. Bender. EP Patent No 1489196 A1 (Dec. 22, 2004)
  17. C.-H. Shen, T.-Ch. Hung. US Patent No 2013/0075779 A1 (Mar. 28, 2013)
  18. S. Daisuke, K. Takeshi, S. Takahiko, K. Hisatsugu. Patent No. JP-A-2005-317931 (Oct. 10, 2005)
  19. E. Bertran, C. Corbella, M. Vives, A. Pinyol, C. Person, I. Porqueras. Sol. St. Ionics, 165 139 (2003)
  20. R.H. Horng, C.C. Yang, J.Y. Wu, S.H. Huang, C.E. Lee, D.S. Wuu. Appl. Phys. Lett., 86, 221 101 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme