Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
Смирнова И.П.1,2, Марков Л.К.1,2, Павлюченко А.С.1,2, Кукушкин М.В.2,3, Павлов С.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИС", Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИС", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
Исследованы структурные, оптические и электрические свойства пленок оксида индия и олова (ITO), полученных электронно-лучевым испарением, магнетронным напылением и комбинированным способом. Показано, что, несмотря на высокую прозрачность электронно-лучевых пленок ITO в видимом диапазоне, их проводимость и показатель преломления заметно ниже аналогичных параметров для пленок ITO, полученных методом магнетронного напыления. Разработана технология создания двухслойных систем способом, комбинирующим эти два метода нанесения. В результате получены пленки, которые обладают преимуществами магнетронных слоев и могут быть применены в качестве контактных слоев к области p-GaN в светодиодах синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов.
- T. Margalith, O. Buchinsky, D.A. Cohen, A.C. Abare, M. Hansen, S.P. DenBaars, L.A. Coldren. Appl. Phys. Lett., 74, 3930 (1999)
- C.S. Chang, S.J. Chang, Y.K. Su, Y.C. Lin, Y.P. Hsu, S.C. Shei, S.C. Chen, C.H. Liu, U.H. Liaw. Semicond. Sci. Technol., 18, L21 (2003)
- Y.C. Lin, S.J. Chang, Y.K. Su, T.Y. Tsai, C.S. Chang, S.C. Shei, C.W. Kuo, S.C. Chen, Sol. St. Electron., 47, 849 (2003)
- Y.C. Lin, S.J. Chang, Y.K. Su, C.S. Chang, S.C. Shei, J.C. Ke, H.M. Lo, S.C. Chen, C.W. Kuo. Sol. St. Electron., 47, 1565 (2003)
- C.H. Kuo, S.J. Chang, Y.K. Su, R.W. Chuang, C.S. Chang, L.W. Wu, W.C. Lai, J.F. Chen, J.K. Sheu, H.M. Lo, J.M. Tsai. Mater. Sci. Engin. B, 106, 69 (2004)
- F.-A. Shu. US Patent No 2006/0046460 A1 (Mar. 2, 2006)
- P. Chan, R. Wang, L. Lei. US Patent No 2009/0065795 A1 (Mar. 12, 2009)
- S. Hiraoka, H. Okagawa, T. Joichi. US Patent No 2010/0012971 A1 (Jan. 21, 2010)
- D.W. Kim, Y.J. Yoon, D.H. Oh, J.H. Kim. US Patent No 7.998.761 B2 (Aug. 16, 2011)
- Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина. ФТП, 43, 1564 (2009)
- И.П. Смирнова, Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин. ФТП, 46, 384 (2012)
- S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
- S.A. Smith, C.A. Wolden, M.D. Bremser, A.D. Hanser, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett., 71, 3631 (1997)
- R.J. Shul. In: GaN and Related Materials II, ed. by S.J. Pearton Gordon and Breach (N.Y., 1998)
- X.A. Cao, S.J. Pearton, A.P. Zhang, G.T. Dang, F. Ren, R.J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, J.M. Van Hove. Appl. Phys. Lett., 75, 2569 (1999)
- M. Bender. EP Patent No 1489196 A1 (Dec. 22, 2004)
- C.-H. Shen, T.-Ch. Hung. US Patent No 2013/0075779 A1 (Mar. 28, 2013)
- S. Daisuke, K. Takeshi, S. Takahiko, K. Hisatsugu. Patent No. JP-A-2005-317931 (Oct. 10, 2005)
- E. Bertran, C. Corbella, M. Vives, A. Pinyol, C. Person, I. Porqueras. Sol. St. Ionics, 165 139 (2003)
- R.H. Horng, C.C. Yang, J.Y. Wu, S.H. Huang, C.E. Lee, D.S. Wuu. Appl. Phys. Lett., 86, 221 101 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
