Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Роль заряженных дефектов в фотопроводимости халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95As5 с примесью EuF3
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 4 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
Исследованиями температурной зависимости темновой проводимости и стационарной фотопроводимости, люксамперной характеристики, а также спектрального распределения фототока предложен энергетический спектр локальных состояний, связанных с заряженными дефектами D- и D+, играющими существенную роль в процессах генерации и рекомбинации носителей заряда в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se95As5, содержащей примеси ЕuF3. Показано, что примеси ЕuF3 немонотонно изменяют концентрации указанных состояний: малые концентрации из-за химической активности ионов редкоземельного элемента и фтора, образуют химическое соединение с селеном и мышьяком, в результате чего уменьшается концентрация исходных собственных дефектов, а большие концентрации, согласно модели заряженных дефектов, в результате присутствия ионов Еu3+ приводят к уменьшению концентрации D+-центров и к росту D--центров. Оценены некоторые параметры модели заряженных дефектов, в частности величина эффективной корреляционной энергии Ueff (0.6 эВ) и энергия поляронной релаксации W+ (0.4 эВ), W- (0.45 эВ).
- К.Д. Цэндин. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (СПб., Наука, 1996)
- Tanaka Keiji. Book of Abstracts 7^th Int. Conf. On Solid State Chemistry (Czech Rep., Pardubice, 2006)
- A. Zakery, S.R. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 330, 1 (2003)
- A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, N.Z. Jalilov, R.I. Alekperov, V.Z. Zeynalov. J. Optoelectron. and Adv. Materials-RC, 1 ISS, 8, 368 (2007)
- A.I. Isayev, S.I. Mekhtieva, N.Z. Jalilov, R.I. Alekperov. Sol. St. Commun., 149 (1-2), 45 (2009)
- А.И. Исаев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, С.И. Мехтиева, И.И. Ятлинко. А.с. N 1512015 (М., 1989)
- Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Н.Б. Захарова, И.И. Ятлинко. ФТП, 27, 959 (1993)
- L.P. Kazakova, E.A. Lebedev, N.B. Zakharova, I.I. Yatlinko, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva. J. Non-Cryst. Sol., 167, 65 (1994)
- A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, A.K. Rzayev. Turkish J. Phys., 22, 263 (1998)
- А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова, Р.И. Алекперов, В.З. Зейналов. ФТП, 8, 1026 (2011)
- А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова. ФТП, 42, 1599 (2011)
- C. Main, A.E. Owen. Electronic and Structural Properties of Amorphous Semiconductors, ed. by P.G. Le Comber, J. Mort. London, Academic Press, 1973, p. 527
- J.G. Simmons, G.W. Taylor. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 7, 3051 (1974)
- А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Н.З. Джалилов, Р.И. Алекперов, С.Н. Гарибова, С.У. Мамедова. Transactions (Series of Physical-Mathematical and Technical Sciences Physics and Astronomy), XXVIII, 5, 63 (2008)
- P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
- R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
- M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37, 1504 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
