Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Массоперенос в приповерхностных слоях GaAs под воздействием излучения миллиметровых волн малой мощности
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия 
2Aalto University, P.O. Box, Espoo, Finland
2Aalto University, P.O. Box, Espoo, Finland
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
Проведено исследование процессов массопереноса по результатам химического анализа приповерхностных слоев арсенида галлия после облучения поверхности GaAs электромагнитными волнами малой мощности 13-25 мВт при частоте 75 ГГц. Показано, что под воздействием излучения изменяются электромеханические напряжения на поверхности GaAs и возникают процессы релаксации с участием массопереноса заряженных частиц. В результате облучения выпадают островки на основе раствора (Ga + As) или соединения GaAs и изменяется изгиб поверхности базисного GaAs. Массоперенос при этом определяется дрейфом заряженных частиц под воздействием электрического напряжения и скоростью поверхностной самодиффузии под действием механических напряжений.
- С.О. Гладков. Физика композитов. Термодинамические и диссипативные свойства (М., Наука, 1999)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- В.М. Фридкин. Современная кристаллография (М., Наука, 1979) т. 2
- G.A. Baraff, M. Schlater. Phys. Rev. Lett., 55 (21), 2340 (1985)
- H.J. von Bardeleben, J.C. Bourgoin, A. Miret. Phys. Rev. B, 34 (2), 1360 (1986)
- D.V. Lioutbchenko, T.A. Briantseva, Z.M. Lebedeva, I.A. Markov, A.V. Raisanen. Deffect and Diffuzion Forum, 194--199, 745 (2001)
- Т.А. Брянцева, М.А. Бобылев, З.М. Лебедева, Д.В. Любченко. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 78 (4), 42 (2012)
- Л.А. Шувалов, А.А. Урусовская, И.С. Желудев. Современная кристаллография (М., Наука, 1981) т. 4
- Ю.Г. Фролов. Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы (М., Химия, 1982)
- Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
- С.П. Яценко. Галлий. Взаимодействие с металлами (М., Наука, 1974)
- Физические величины. Справочник (М., Энергоатомиздат, 1991)
- Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками, под ред. Дж.М. Поута, Г. Фоти, Д.К. Джекобсона (М., Машиностроение, 1987)
- Р. Кристи, А. Питти. Строение вещества: введение в современную физику (М., Наука, 1969)
- D.V. Lioubtchenko, T.A. Briantseva, Z.M. Lebedeva, T.J. Bullough. Def. Dif. Forum, 316--317, 89 (2011)
- Я.И. Френкель. Введение в теорию металлов, под ред. Вонсовского (Л., Наука, 1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
