Вышедшие номера
Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
Соломонов А.В.1, Тарасов С.А.1, Менькович Е.А.1, Ламкин И.А.1, Курин С.Ю.2, Aнтипов А.А.2, Бараш И.С.2, Роенков А.Д.2, Хелава Х.3, Макаров Ю.Н.2,3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA
Поступила в редакцию: 29 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Представлены результаты работы по созданию и исследованию УФ-светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, полученных на подложках Al2O3 (0001) хлоридно-гидридной эпитаксией. Максимум спектра электролюминесценции находился в диапазоне длин волн 360-365 нм, а его полуширина составила 10-13 нм. При рабочем токе 20 мА оптическая мощность и кпд УФСД имели значения 1.14 мВт и 1.46% соответственно.