Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA
2Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA
Поступила в редакцию: 29 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
Представлены результаты работы по созданию и исследованию УФ-светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, полученных на подложках Al2O3 (0001) хлоридно-гидридной эпитаксией. Максимум спектра электролюминесценции находился в диапазоне длин волн 360-365 нм, а его полуширина составила 10-13 нм. При рабочем токе 20 мА оптическая мощность и кпд УФСД имели значения 1.14 мВт и 1.46% соответственно.
- Ф.Е. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2008)
- M. Kneissl, T. Kolbe, C. Chua, V. Kueller, N. Lobo, J. Stellmach, A. Knauer, H. Rodriguez, S. Einfeldt, Z. Yang, N.M. Johnson, M. Weyers. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 036 (2011)
- Ф.И. Маняхин. ИВУЗ. МЭТ, 2 (50), 54 (2010)
- V. Dmitriev, A. Usikov. Hydride Vapor Phase Epitaxy of Group III Nitride Materials, III-Nitride Semiconductor Materials (London, Imperial College Press, 2006) chap. 1
- Е.А. Менькович, И.А. Ламкин, С.А. Тарасов. Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 10, 17 (2012)
- А.А. Антипов, И.С. Бараш, В.Т. Бублик, С.Ю. Курин, Ю.Н. Макаров, Е.Н. Мохов, С.С. Нагалюк, А.Д. Роенков, Т.Ю. Чемекова, К.Д. Щербачев, Х. Хелава. ИВУЗ. МЭТ, 1 (57), 52 (2012)
- V.F. Mymrin, K.A. Bulashevich, N.I. Podolskaya, S.Yu. Karpov. J. Cryst. Growth, 281 (1), 115 (2005)
- K. Bulashevich, M. Ramm, S. Karpov. Phys. Status Solidi C, 6 (S2), S804 (2009)
- S. Kurin, A. Antipov, I. Barash, A. Roenkov, H. Helava, S. Tarasov, E. Menkovich, I. Lamkin, Yu. Makarov. Phys. Status Solidi C, 10 (3), 289 (2013)
- С.А. Тарасов, Е.А. Менькович, А.Н. Пихтин. Патент N 2473149 зарегистрирован 20 января 2013 "Способ определения температуры активной области светодиода". Заявка N 22011147653 приоритет 23 ноября 2011
- E.A. Menkovich, S.A. Tarasov, I.A. Lamkin. Funct. Mater., 2, 233 (2012)
- М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Письма ЖТФ, 39 (10), 22 (2013)
- O.V. Kucherova, V.I. Zubkov, A.V. Solomonov, D.V. Davydov. Semiconductors, 44 (3), 335 (2010)
- O.V. Kucherova, V.I. Zubkov, E.O. Tsvelev, I.N. Yakovlev, A.V. Solomonov. Inorg. Mater., 47 (14), 1574 (2011)
- A. Usikov, O. Kovalenkov, V. Soukhoveev, V. Ivantsov, A. Syrkin, V. Dmitriev, A. Davydov. Phys. Status Solidi C, 5 (6), 1829 (2008)
- G. Smith, T. Dang, T. Nelson, J. Brown, D. Tsvetkov, A. Usikov, V. Dmitriev. J. Appl. Phys. 95, 8247 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
