Вышедшие номера
Электрон-фононное взаимодействие в короткопериодических сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n (001)
Гриняев С.Н.1,2, Никитина Л.Н.1,2, Тютерев В.Г.2,3
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3Томский государственный педагогический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 15 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

На основе метода функционала электронной плотности определены деформационные потенциалы рассеяния электронов на коротковолновых фононах для междолинных переходов в зоне проводимости короткопериодических сверхрешеток (GaAs)m(AlAs)n (001) (m,n=1, 2, 3). Проведен анализ зависимости электронных, фононных состояний и деформационных потенциалов от толщины слоев сверхрешеток. Результаты ab-initio расчетов хорошо согласуются с данными эмпирического расчета объединенных по фононам деформационных потенциалов, но отличаются от соответствующих потенциалов для парциальных каналов рассеяния вследствие приближений феноменологической модели сил связи.