Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Полевой транзистор с длинным каналом со свойствами короткоканального транзистора
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 12 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.
Приведены типичные данные параметров исследуемых образцов полевых транзисторов с длинным каналом, результаты измерений их функциональных характеристик, а также рассмотрены возможные распределения подвижности носителей заряда по толщине канала. Проведен теоретический анализ вольт-амперных характеристик длинноканальных полевых транзисторов с произвольным профилем легирования и с градиентом подвижности носителей заряда, а также с учетом насыщения скорости носителей заряда.
- А.В. Каримов. Электрон. техн., сер. 2. Полупроводниковые приборы, вып. 5, 93 (1990)
- A.N. Aleshin, J.Y. Lee, S.W. Chu, J.S. Kim, Y.W. Park. Appl. Phys. Lett., 84 (26), 5383 (2004)
- R.R. Bokemuehl. IEEE Trans. Electron. Dev., N 10, 31 (1963)
- С.Б. Бурзин, Н.В. Гуминов, В.И. Старосельский, С.С. Шмелев. Микроэлектроника, 36 (4), 243 (2007)
- С.Б. Бурзин, В.И. Старосельский, С.С. Шмелев. Микроэлектроника, 36 (5), 472 (2007)
- Патент РУз N IAP 04059. А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Х.Н. Бахранов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова, Ш.А. Хайдаров. Расмий ахборотнома, N 2 (2009)
- Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова, Ш.А. Хайдаров. Технология и конструирование в электрон. аппаратуре, N 6, 47 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
