Вышедшие номера
Полевой транзистор с длинным каналом со свойствами короткоканального транзистора
Каримов А.В.1, Ёдгорова Д.М.1, Абдулхаев О.А.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 12 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Приведены типичные данные параметров исследуемых образцов полевых транзисторов с длинным каналом, результаты измерений их функциональных характеристик, а также рассмотрены возможные распределения подвижности носителей заряда по толщине канала. Проведен теоретический анализ вольт-амперных характеристик длинноканальных полевых транзисторов с произвольным профилем легирования и с градиентом подвижности носителей заряда, а также с учетом насыщения скорости носителей заряда.