Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства МОП диодов In/TiO2/p-CdTe
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина 
2Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany
2Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 21 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.
Впервые изготовлены МОП диоды In/TiO2/p-CdTe с помощью дешевого метода спрей-пиролиза, которые имели коэффициент выпрямления K=6·103 при внешнем смещении 2 В. Установлено, что доминирующим механизмом токопереноса в исследуемых МОП структурах при прямом и обратном напряжениях выступают туннельно-рекомбинационные процессы при участии энергетических уровней с глубиной залегания 0.25 эВ. Особенности вольт-фарадных характеристик МОП диодов In/TiO2/p-CdTe свидетельствуют о резком уменьшении сопротивления высокоомного слоя TiО2 при прямом смещении, что обусловлено соотношением энергетических параметров компонентов исследуемой МОП структуры.
- T.M. Razikov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadyaya. Sol. Energy, 85, 1580 (2011)
- Л.А. Косяченко. ФТП, 40, 730 (2006)
- A. Romeo, G.S. Khrypunov, F. Kurdesau, M. Arnold, D.L. Batzner, H. Zogg, A.N. Tiwari. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 90, 3407 (2006)
- B. Fraboni, A. Cavallini, W. Dusi. Nucl. Sci. (IEEE), 51, 1209 (2004)
- N. Abeeb, I.V. Kretsu, D.A. Sherban, A.V. Simashkevich, K.D. Suskevich. Sol. Energy Mater., 15, 9 (1987)
- A.M. Mancini, P. Pierini, A. Valentini, L. Vasanelli. Thin Solid Films, 124, 85 (1985)
- G. Wary, T. Kachary, A. Rahman. Int. J. Thermophysics, 27, 332 (2006)
- V. Consonni, G. Rey, J. Bonaime, N. Karst, B. Doisneau, H. Roussel, S. Renet, D. Bellet. Appl. Phys. Lett., 98, 111 906 (2011)
- S. Tiefenbacher, S. Petternkofer, W. Jaegermann. J. Appl. Phys., 91, 1984 (2002)
- K. Ernst, A. Belaidi, R. Konenkamp. Semicond. Sci. Technol., 18, 475 (2003)
- A. Belaidi, R. Bayon, L. Dloczik, K. Ernst, M.C. Lux-Steiner, R. Konenkamp. Thin Solid Films, 421, 488 (2003)
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 006 (2011)
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 27, 055 008 (2012)
- J.P. Ponpon. Solid-State Electon., 28, 689 (1985)
- S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of semiconductor devices (New Jersey, Wiley, 2007)
- A.R. Riben, D.L. Feucht. Solid-State Electron., 9, 1055 (1966)
- A.R. Riben, D.L. Feucht. Int. J. Electron., 20, 583 (1966)
- О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 34, 1316 (2000)
- А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 34, 113 (2000)
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 17, 1068 (1983)
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1472 (1984).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
