Температурная селективность радиационного воздействия на кремниевые МОП-транзисторы
Коман Б.П.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко (факультет электроники), Львов, Украина
Поступила в редакцию: 20 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.
С использованием методики подпороговых токов МОП-транзисторов в интервале температур (290-450) K исследовано влияние температурных режимов рентгеновского облучения на кинетику изменения параметров Uth и Dit кремниевых МОП-транзисторов с длиной канала 2-10 мкм. Установлено, что по исследуемым параметрам при температурах облучения выше 360 K (температура низкотемпературного максимума в спектре ТСД транзистора) наблюдается снижение радиационной чувствительности транзисторов, которая достигает своего максимального значения в области 430 K (соответствует высокотемпературному максимуму). Полученные результаты интерпретируются с позиции модели существования двух типов ловушек для носителей заряда и перераспределения под действием облучения электрическиактивных ионов Na+, K+, Li+ и H+ между ними, а также эффекта частичной нейтрализации зарядов на межфазной границе.
- И.В. Васильева, Г.А. Ефремов, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, В.С. Иванов. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники (М., Энергоатомиздат, 1997)
- В.С. Вавилов, Б.М. Горин, Н.С. Данилин, А.Е. Кив, Н.Л. Куров, В.И. Шаховцов. Радиационные методы в твердотельной электронике (М., Радио и связь, 1990)
- В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, В.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO2 (Новосибирск, Наука, 1981)
- В.Н. Вертопрахов, В.Г. Сальман. Термостимулированные токи в неорганических веществах (Новосибирск, Наука, 1981)
- А.П. Барабан, В.В. Балавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л. ЛГУ, 1988)
- В.М. Гонтарь, М.Г. Султанов. Электрон. техн., 5, 48 (1991)
- H. Ohyama, К. Hayama, К. Такакура, Т. Jono, С. Simoen, C. Claeys. Microelectron. Engin., 66, 530 ( 2003)
- Ю.В. Баринов, В.Н. Безбородов, В.В. Емельянов, В.С. Першенков. ФТП, 29, 323 (1995)
- Б.П. Коман. Фiзика i хiмiя твердого тiла, 13, 1281 (2012)
- B.P. Koman, O.V. Galchynskyy, R.O. Kovalyuk. NIM B, 116, 389 (1996)
- Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1991)
- F.G. McWhorter, P.S. Winokur. Appl. Phys. Lett., 48, 133 (1986)
- M. Gaitan, T.J. Russell. IEEE Trans. Nucl. Sci., 31, 1256 (1984)
- В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем (М., Энергоатомиздат, 1988)
- Б.П. Коман. Укр. фiз. жур., 45, 1440 (2000)
- Б.П. Коман. Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологii, 39, 88 (2012)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 2010)
- Е.Ф. Венгер, В.Е. Примаченко, С.И. Кирилова, В.А. Чернобай. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 38, 134 (2003)
- D. Vuillaume. Appl. Phys. Lett., 59, 3118 (1991)
- D. Vuillaume. J. Appl. Phys., 70, 6902 (1991)
- N.M. Johnson, D.K. Biegelsen, M.D. Moyer. Appl. Phys. Lett., 43, 563 (1983)
- E.N. Poindexter. Semicod. Sci. Technol., 4, 961, (1989)
- G.J. Gerardi, E.H. Poindexter, P.J. Caplan, N.M, Johnson. Аppl. Phys. Lett., 49, 348 (1986)
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская. ФТП, 33, 306 (1999)
- С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30, 1231 (1996)
- И.П. Лисовский, В.Г. Литовченко, Г.Ф. Романова. Укр. физ. жур., 38, 1532 (1993)
- В.А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.В. Шапошников, Ю.Н. Мороков. ФТП, 35, 1041 (2001)
- C.T. Sah. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-- 23, 1563 (1976)
- C.T. Sah, J.Y. Sun, J.J. Tzou. J. Appl. Phys. 54, 2547 (1983)
- A.G. Revesz. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-- 24, 2102 (1977)
- А.Б. Симаков, А.Ю. Башин. Микроэлектроника, 36, 62 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук