Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием

Лукашин В.М.¹, Пашковский А.Б.¹, Журавлев К.С.², Торопов А.И.², Лапин В.Г.¹, Голант Е.И.¹, Капралова А.А.¹

¹Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Московская область, Россия
²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 16 июля 2013 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены первые результаты разработки мощных полевых транзисторов на гетероструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дополнительными потенциальными барьерами на основе слоев с разными типами легирования, оптимизированными для уменьшения поперечного пространственного переноса электронов и увеличения эффекта размерного квантования. Транзисторы продемонстрировали рост выходной мощности в 2 раза при длине трапециевидного затвора 0.4 - 0.5 мкм и общей ширине затвора транзистора 0.8 мм на частоте 10 ГГц в непрерывном режиме работы. При этом коэффициент усиления превысил 9.5 дБ при удельной выходной мощности более 1.6 Вт/мм и величине кпд по добавленной мощности до 50%. Проведена оценка перспектив развития данного типа приборов.

А.А. Кищинский. Матер. 19-й Междунар. Крымской конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии". (Севастополь, Вебер, 2009) с. 11
А.А. Кальфа, А.С. Тагер. Электрон. техн., сер. 1, Электроника СВЧ, 12 (348), 26 (1982)
C. Gaquiere, J. Grunenutt, D. Jambon, E. Dolos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Treron, P. Fellon. IEEE Electron. Dev. Lett., 26 (8), 533 (2005)
M.V. Baeta Moreira, M.A. Py, M. Gailhanou, M. Ilegems. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 103 (1992)
C.S. Wu, F. Ren, S.J. Pearton, M. Hu, C.K. Pao, R.F. Wang. IEEE Trans. Electron. Dev., 42, 1419 (1995)
И.С. Василевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.П. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
L.J. Kushner. Microwave J., 87 (1990)
TriQuint Semiconductor, Advance Product Information, Sept. 19, 2005 Web: www.triquint.com
Н.А. Кувшинова, В.Г. Лапин. В.М. Лукашин, К.И. Петров. Радиотехника, 11, 90 (2011)
А.В. Климова, В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский. ФТП, 43, 113 (2009)
A.K. Saxena. J. Phys. C, 13, 4322 (1980)
З.С. Грибников, О.Э. Райчев. ФТП, 23, 2171 (1989)
J. Zou, Z. Abid, H. Dong, A. Gopinath. Appl. Phys. Lett. 58, 2411 (1991)
J. Zou, H. Dong, A. Gopinath, M.S. Shur. IEEE Trans. Electron Dev., ED-39, 250 (1992)
Патент РФ на полезную модель N 80069 по заявке N 2008133793. Приоритет от 19.08.2008
М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991) с. 312
А.А. Кальфа, А.Б. Пашковский. ФТП, 22, 2090 (1988)
Н.А. Банов, В.И. Рыжий. Микроэлектроника, 15, 490 (1986)
В.А. Николаева, В.Д. Пищалко, В.И. Рыжий, Г.Ю. Хренов, Б.Н. Четверушкин. Микроэлектроника, 17, 504 (1988)
В.Е. Чайка. Техн. электродинамика, 3, 85 (1985)
Я.Б. Мартынов, А.С. Тагер. Электрон. техн., сер. 1, Электроника СВЧ, 7 (413), 14, (1988)
Г.З. Гарбер. Радиотехника и электроника, 48, 125 (2003)
V.G. Lapin, A.M. Temnov, K.I. Petrov, V.A. Krasnik. GaAs 2000 Conf. proceedings, Oct. 2--3, 2000
В.Г. Лапин, В.А. Красник, К.И. Петров, А.М. Темнов. Матер. 11-й Междунар. Крымской конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии". (Севастополь, Крым, Украина) p. 135
К.С. Журавлев, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, А.Б. Соколов, А.И. Торопов. Электрон. техн., сер. 1, СВЧ-техника, 1 (512), 55 (2012)
В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Соколов. Письма ЖТФ, 38 (17), 84 (2012)
Y.-E. Wu, A. Saxler, M. Moore, R.P. Smith, S. Sheppard, P.M. Chavarkar, T. WIsleder, V.K. Mishra, P. Parikh. IEEE Electron Dev. Lett., 25 (3), 117 (2004)
Патент РФ N 2463685 по заявке N 2011123071. Приоритет от 07.06.2011
А.А. Воробьев, А.В. Галдецкий. Электрон. техн., сер. 1, СВЧ-техника, 3 (510), 37 (2011)
IEEE Electron Dev. Lett., 33 (9), 1258 (2012)
И.А. Баранов, А.В. Климова, Л.В. Манченко, О.И. Обрезан, А.Б. Пашковский. Радиотехника, N 3, 34 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель