Вышедшие номера
Магнитосопротивление в слоистых полупроводниках при рассеянии на ионах примеси в параллельном магнитном поле
Аскеров Б.М.1, Фигарова С.Р.1, Гусейнов Г.И.2, Фигаров В.Р.3
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский архитектурный и строительный университет, A Баку, Азербайджан
3Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 21 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Выполнен расчет магнитосопротивления полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, направленном поперек оси сверхрешетки, при рассеянии носителей тока на ионах примеси. Показано, что знак поперечного магнитосопротивления существенно зависит от степени заполнения зоны, величины магнитного поля и соотношения между радиусом экранирования, радиусом циклотронной орбиты и постоянной сверхрешетки. В параллельном магнитном поле поперечное магнитосопротивление двумерного электронного газа положительно в сильном и отрицательно в слабом поле. Поперечное магнитосопротивление квазидвумерного электронного газа меняет свой знак из-за наличия в мини-зоне области с отрицательной эффективной массой.