Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) большой площади для матричных ИК фотоприемников коротковолнового спектрального диапазона
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(310) диаметром 76.2 и 100 мм выращены гетероэпитаксиальные структуры CdxHg1-xTe n-типа проводимости для ближнего ИК диапазона спектра (x~0.4). Достигнута хорошая однородность состава по площади структур - изменение величины x на 100 мм пластинах составляет 0.015-0.025. В процессе роста слои КРТ легировались In с концентрацией (0.5-3)·1015 см-3. Исследованы магнетополевые зависимости эффекта Холла в диапазоне магнитных полей 0.05-1.0 Тл при температуре жидкого азота и комнатной. Экспериментальные значения подвижности электронов при комнатной температуре близки к расчетным, а при температуре жидкого азота меньше расчетных. Обсуждаются возможные причины этого, такие как влияние переходного слоя КРТ на границе с буферным слоем CdTe и дефекты кристаллической решетки структуры КРТ. Исследовано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в структурах КРТ при активационных отжигах.
- O. Gravrand, Ph. Chorier. Proc. of SPIE, Infrared Technology and Applications XXXV (Orlando, Florida, USA, April 13, 2009) v. 7298, p. 729 821-1.
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.П. Анциферов. Оптич. журн., 67 (1), 39 (2000)
- М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин. ФТП, 45 (3), 396 (2011)
- В.В. Блинов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров. Патент N 2071985. Приоритет от 11.01. 1993. Регистрация 20.01.1997. Бюл. N 2 от 20.01.1997
- В.В. Блинов, Е.П. Горяев, С.А. Дворецкий и др. Заявка на изобретение N 95102853/25, приоритет от 01.03.95. Положительное решение от 20.08.1997
- R.K. Bhan, V. Dhar, P.K. Chaudhury, P.K. Basu, A.V.R. Warrier. Аррl. Phys. Lett., 68 (17), 2453 (1996)
- В.Г. Ремесник, А.М. Мищенко, Н.Н. Михайлов. "Изобретение", N 20. Патент РФ N 2022402, приоритет от 30.10.94. Бюл. N 20 от 30.10.94
- А.Ф. Булдыгин, А.В. Вдовин, С.А. Студеникин, А.С. Токарев, В.С. Варавин. Автометрия, 4, 73 (1996)
- А.В. Войцеховский, Ю.А. Денисов, В.П. Коханенко, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, В.Т. Либерман, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров. Автометрия, 4, 51 (1996)
- J.P. Rosbeck, R.E. Star, S.L. Price, K.J. Riley. J. Appl. Phys., 53, 6430 (1982)
- П.А. Бахтин, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38(10), 1203 (2004)
- G.L. Hansen, J.L. Schmit. J. Appl. Phys., 54, 1639 (1983)
- G.L. Hansen, J.L. Schmit, T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 53, 7099 (1982).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
