Систематизированы результаты по обнаружению и изучению антиструктурных дефектов (АСД) в соединениях А^IIIB^V. Обсуждены особенности образования АСД в процессе роста и при облучении кристаллов электронами, нейтронами и т. д. Установлена взаимосвязь оптических и электрофизических характеристик кристаллов с конкретными АСД. Описаны схемы уровней и электронных переходов в соединениях GaP, GaAs и InP с участием АСД.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.