При диффузионном легировании платина образует в кремнии акцепторы и доноры с энергиями ионизации E_a=E_c-0.26 и E_v+0.36 эВ с сечениями захвата носителей тока 9.7· 10^-15 и 3.8·10^-14 см² соответственно. В n-Si преобладают акцепторы, в p-Si - доноры. Под действием одноосного давления E_a уменьшается. Изменение E_a составляет 13-36 мэВ/ГПа в зависимости от ориентации образца. После облучения gamma-квантами ⁶⁰Со концентрация уровней Pt незначительно уменьшается (на 20% при дозе 7.4· 10¹⁸ кв/см²). Скорость образования радиационных дефектов в Si (Pt) выше, чем в контрольных образцах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.