Методом послойной авторадиографии и измерения остаточной активности исследована однородность легирования фосфором тонких пленок аморфного гидрированного кремния (a-Si : Н), осажденных на кремниевые подложки и подвергнутых нейтронной активации. На аналогичных пленках, осажденных на кварцевые подложки, изучено влияние фосфора на электрофизические параметры a-Si : Н при различных уровнях легирования. Показано, что фосфор, вводимый в пленку в процессе выращивания, распределяется достаточно однородно по площади и толщине пленки. Электропроводность легированных пленок на ~6 порядков больше электропроводности нелегированных пленок. Установлено, что концентрация введенных доноров пропорциональна N^1/2_P, где N_P- уровень легирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.