Путем измерений ИК поглощения на электронных переходах, связанных с мелкими уровнями фосфора в кремнии, концентрации свободных носителей, концентрации радиационных дефектов методом DLTS проведено исследование изменения концентрации узлового фосфора в кремнии с различным содержанием кислорода и углерода при облучении электронами с энергией 3.5 МэВ при температурах 20 и 180^oС. Показано, что убыль узлового фосфора определяется не только образованием E-центров. Анализ данных по облучению кремния с различным содержанием углерода и кислорода и восстановлению концентрации узлового фосфора при отжигах дает возможность предположить наличие взаимодействия атомов фосфора с междоузельными атомами кремния, в частности вытеснение из узла. Превышение убыли концентрации фосфора над изменениями концентрации свободных носителей свидетельствует о формировании при облучении n-Si(P) мелких донорных центров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.