Сформулировано граничное условие для нестационарных, т. е. находящихся выше порога эмиссии в вакуум, электронов на поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством. Показано, что в двух предельных случаях - хорошо отражающей электроны и хорошо пропускающей электроны границ раздела с вакуумом - состояния локализованных вблизи поверхности электронов являются долгоживущими, однако природа их в этих двух случаях принципиально различна. Для хорошо отражающих поверхностей в потенциальной яме изгиба зон существуют размерно-квантованные состояния, которые гибридизированы с таммовскими (поверхностными) состояниями. Учет гибридизации позволяет снять существовавшее ранее расхождение теории с экспериментом. Вблизи хорошо пропускающей электроны границы раздела с вакуумом возникают резонансные двумерные состояния, лежащие по энергиям на фоне объемных состояний электронов. Резонансные состояния электронов локализованы на макроскопических расстояниях вблизи поверхности и могут оказывать заметное влияние на процессы фотогенерации и энергетической релаксации электронов в полупроводниках с отрицательным электронным сродством.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.