О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.
В приближении изотропной среды получено выражение для флексоэлектрического потенциала областей разупорядочения (ОР), вводимых в полупроводники облучением тяжелыми частицами. Показано, что для определения полного потенциала ОР необходимо рассматривать уравнение Пуассона с плотностью заряда, отличной от обычно используемой. На примере кремния проиллюстрировано влияние флексоэлектрического потенциала на рекомбинационную эффективность ОР.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.