Методом оптически индуцированной модуляции поглощения исследованы энергетические уровни тригонального центра "примесь + вакансия" в высокоомном GaAs : Сr p- и n-типа. Обнаружены новые линии поглощения в интервале 0.9<homega<1.4эВ. Эти линии приписываются внутрицентровым переходам с переносом заряда с примеси на вакансию и с образованием метастабильных состояний с большими временами релаксации (порядка 10^-1 с) при T=300 K. Исследованы также отрицательно заряженные состояния этих центров в образцах n-типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.