Приведены результаты теоретического и экспериментального исследовании процессов формирования потенциального барьера в приэлектродной области аморфного полупроводника. Показано, что возникновение барьера вблизи контакта металл-аморфный полупроводник, а также свойства этого барьера обусловлены широким энергетическим спектром локализованных состояний g( E), характерным для неупорядоченных полупроводников. Проводится также сравнение полученных теоретических результатов с экспериментальными данными по частотной, температурной и полевой зависимостям барьерной емкости. Результаты проведенных исследований позволяют сделать вывод об активационном характере барьеров в структурах металл-аморфный полупроводник.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.