Исследовано влияние магнитного поля H на протекание тока сквозь тонкий полупроводниковый контактный слой малой толщины d. Предполагается, что длина свободного пробега электронов в слое l>> d, поле H ориентировано в плоскости слоя, а перераспределение заряда при протекании тока не влияет на электрическое поле в контакте. В случае симметричного контакта (с берегами из одинакового материала) магнитное поле изменяет ВАХ в области напряжений U=<sssim (4T/e)(H/H₀)², H₀=4ckT/ev_тd (v_т - тепловая скорость электронов). В баллистическом режиме (l->бесконечность) магнитосопротивление такого контакта Delta R_H~ H/H₀ в слабых (H=<sssim H₀) полях; в сильном поле (H>~= H₀) сопротивление Delta R(H)/R₀~exp[(H/H₀)²]. Рассеяние сглаживает зависимость R(H) в области очень слабых [H=<sssim (d/l)²H₀] и достаточно сильных [H>~= H₀ln^1/2(l/d)] полей, приводя к квадратичному ходу R(H). В основной же области изменения поля H специфика баллистического режима сохраняется. Влияние магнитного поля на ВАХ исследовано также для несимметричного контакта.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.